VS-20ETF08-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
![vs-20etfm3.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: DIODE GEN PURP 800V 20A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 800 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 223.36 грн |
50+ | 170.72 грн |
100+ | 146.34 грн |
500+ | 122.07 грн |
1000+ | 104.52 грн |
2000+ | 98.42 грн |
5000+ | 92.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-20ETF08-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Category: THT universal diodes, Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 20A; tube; Ifsm: 320A; TO220AC; 95ns, Type of diode: rectifying, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 0.8kV, Load current: 20A, Semiconductor structure: single diode, Features of semiconductor devices: fast switching, Kind of package: tube, Max. forward impulse current: 320A, Case: TO220AC, Max. forward voltage: 1.31V, Heatsink thickness: 1.14...1.4mm, Reverse recovery time: 95ns, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції VS-20ETF08-M3 за ціною від 103.59 грн до 244.95 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
VS-20ETF08-M3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 984 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
VS-20ETF08-M3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
VS-20ETF08-M3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 20A; tube; Ifsm: 320A; TO220AC; 95ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Kind of package: tube Max. forward impulse current: 320A Case: TO220AC Max. forward voltage: 1.31V Heatsink thickness: 1.14...1.4mm Reverse recovery time: 95ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
VS-20ETF08-M3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 20A; tube; Ifsm: 320A; TO220AC; 95ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Kind of package: tube Max. forward impulse current: 320A Case: TO220AC Max. forward voltage: 1.31V Heatsink thickness: 1.14...1.4mm Reverse recovery time: 95ns |
товар відсутній |