на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 440.28 грн |
| 10+ | 365.04 грн |
| 100+ | 285.68 грн |
| 200+ | 284.98 грн |
| 1000+ | 216.56 грн |
| 2000+ | 203.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-1N1200A Vishay Semiconductors
Description: DIODE GEN PURP 100V 12A DO203AA, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud, Mounting Type: Chassis, Stud Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 12A, Supplier Device Package: DO-203AA (DO-4), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 12 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 mA @ 100 V.
Інші пропозиції VS-1N1200A за ціною від 291.07 грн до 444.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-1N1200A | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: DIODE GEN PURP 100V 12A DO203AAPackaging: Bulk Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud Mounting Type: Chassis, Stud Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: DO-203AA (DO-4) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 mA @ 100 V |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|