VS-1EFU06HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 32 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 30.15 грн |
| 13+ | 22.72 грн |
| 100+ | 13.66 грн |
| 500+ | 11.87 грн |
| 1000+ | 8.07 грн |
| 2000+ | 7.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-1EFU06HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-219AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 32 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-219AB (SMF), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції VS-1EFU06HM3/I за ціною від 7.18 грн до 32.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-1EFU06HM3/I | Виробник : Vishay Semiconductors |
Rectifiers If(AV) 1A Vr 600V AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 127319 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| VS-1EFU06HM3/I | Виробник : VISHAY |
VS-1EFU06HM3/I SMD universal diodes |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
VS-1EFU06HM3/I | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 32 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |