![VS-1EFU06-M3/I VS-1EFU06-M3/I](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/5789/112%7EDO219AB%28SMF%29%7E%7E2.jpg)
VS-1EFU06-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division
![vs-1efu06-m3.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 32 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10000+ | 5.72 грн |
30000+ | 5.44 грн |
50000+ | 4.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-1EFU06-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: VISHAY - VS-1EFU06-M3/I - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.2 V, 42 ns, 30 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-219AB (SMF), Durchlassstoßstrom: 30A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.2V, Sperrverzögerungszeit: 42ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: FRED Pt, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції VS-1EFU06-M3/I за ціною від 5.74 грн до 36.59 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
VS-1EFU06-M3/I | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 32 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V |
на замовлення 68840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
VS-1EFU06-M3/I | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 47313 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
VS-1EFU06-M3/I | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-219AB (SMF) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.2V Sperrverzögerungszeit: 42ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: FRED Pt productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 17429 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
VS-1EFU06-M3/I | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; SMF Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Case: SMF кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
VS-1EFU06-M3/I | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; SMF Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Case: SMF |
товар відсутній |