![VS-15AWL06FNTR-M3 VS-15AWL06FNTR-M3](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/796/112%3B-SlimDPAK%3B-%3B-2.jpg)
VS-15AWL06FNTR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
![vs-15ewl06fn-m3.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: DIODE GEN PURP 600V 15A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2000+ | 35.94 грн |
6000+ | 32.96 грн |
10000+ | 31.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-15AWL06FNTR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Category: SMD universal diodes, Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 15A; 290ns; DPAK; Ufmax: 0.92V, Type of diode: rectifying, Mounting: SMD, Max. off-state voltage: 0.6kV, Load current: 15A, Max. load current: 30A, Reverse recovery time: 290ns, Semiconductor structure: single diode, Features of semiconductor devices: ultrafast switching, Capacitance: 11pF, Case: DPAK, Max. forward voltage: 0.92V, Max. forward impulse current: 180A, Leakage current: 120µA, Kind of package: reel; tape, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції VS-15AWL06FNTR-M3 за ціною від 30.8 грн до 91.88 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
VS-15AWL06FNTR-M3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 638 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
VS-15AWL06FNTR-M3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 802 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
VS-15AWL06FNTR-M3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 1280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
VS-15AWL06FNTR-M3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 802 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
VS-15AWL06FNTR-M3 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 120 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 15A Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
на замовлення 15552 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
VS-15AWL06FNTR-M3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 5701 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
VS-15AWL06FNTR-M3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
VS-15AWL06FNTR-M3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
VS-15AWL06FNTR-M3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 15A; 290ns; DPAK; Ufmax: 0.92V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 15A Max. load current: 30A Reverse recovery time: 290ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Capacitance: 11pF Case: DPAK Max. forward voltage: 0.92V Max. forward impulse current: 180A Leakage current: 120µA Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
VS-15AWL06FNTR-M3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 15A; 290ns; DPAK; Ufmax: 0.92V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 15A Max. load current: 30A Reverse recovery time: 290ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Capacitance: 11pF Case: DPAK Max. forward voltage: 0.92V Max. forward impulse current: 180A Leakage current: 120µA Kind of package: reel; tape |
товар відсутній |