на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 35.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-12EWH06FNTR-M3 Vishay
Description: DIODE GEN PURP 600V 12A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 12A, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 12 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V.
Інші пропозиції VS-12EWH06FNTR-M3 за ціною від 30.32 грн до 85.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
VS-12EWH06FNTR-M3 | Виробник : Vishay |
 Diode Switching 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
VS-12EWH06FNTR-M3 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 600V 12A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
на замовлення 1362 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
VS-12EWH06FNTR-M3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
Rectifiers Hyperfast 12A 600V 18ns |
на замовлення 1883 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
VS-12EWH06FNTR-M3 | Виробник : Vishay |
Diode Switching 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
VS-12EWH06FNTR-M3 | Виробник : Vishay |
Diode Switching 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| VS-12EWH06FNTR-M3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 12A; 18ns; DPAK; Ufmax: 1.34V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 12A Reverse recovery time: 18ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Case: DPAK Max. forward voltage: 1.34V Max. forward impulse current: 110A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
VS-12EWH06FNTR-M3 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 600V 12A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| VS-12EWH06FNTR-M3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 12A; 18ns; DPAK; Ufmax: 1.34V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 12A Reverse recovery time: 18ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Case: DPAK Max. forward voltage: 1.34V Max. forward impulse current: 110A |
товар відсутній |