![VS-10ETS08STRR-M3 VS-10ETS08STRR-M3](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/5858/112%7ETO263ABD2PAK%7E%7E2.jpg)
VS-10ETS08STRR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
![vs-10ets08s.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: DIODE GEN PURP 800V 10A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 800 V
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 43.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-10ETS08STRR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 800V 10A TO263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK), Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 800 V.
Інші пропозиції VS-10ETS08STRR-M3 за ціною від 45.88 грн до 113.55 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
VS-10ETS08STRR-M3 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 800 V |
на замовлення 7990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
VS-10ETS08STRR-M3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 6862 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
VS-10ETS08STRR-M3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
VS-10ETS08STRR-M3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 800V; 10A; D2PAK,TO263AB Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated Case: D2PAK; TO263AB кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
VS-10ETS08STRR-M3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 800V; 10A; D2PAK,TO263AB Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated Case: D2PAK; TO263AB |
товар відсутній |