![VS-10ETS08S-M3 VS-10ETS08S-M3](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/5858/112%7ETO263ABD2PAK%7E%7E2.jpg)
VS-10ETS08S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
![vs-10ets08s.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: DIODE GEN PURP 800V 10A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 800 V
на замовлення 6817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 81.42 грн |
50+ | 62.87 грн |
100+ | 49.81 грн |
500+ | 39.62 грн |
1000+ | 39.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-10ETS08S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: VISHAY - VS-10ETS08S-M3 - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 10 A, Einfach, 1.1 V, 160 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-263AB, Durchlassstoßstrom: 160A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.1V, Sperrverzögerungszeit: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції VS-10ETS08S-M3 за ціною від 46 грн до 137.6 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
VS-10ETS08S-M3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 8480 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
VS-10ETS08S-M3 | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263AB Durchlassstoßstrom: 160A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 6444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
VS-10ETS08S-M3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
VS-10ETS08S-M3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 800V; 10A; D2PAK,TO263AB Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated Case: D2PAK; TO263AB кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
VS-10ETS08S-M3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 800V; 10A; D2PAK,TO263AB Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated Case: D2PAK; TO263AB |
товар відсутній |