VS-10ETS08S-M3

VS-10ETS08S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division


vs-10ets08s.pdf Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 800V 10A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 800 V
на замовлення 6817 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+81.42 грн
50+ 62.87 грн
100+ 49.81 грн
500+ 39.62 грн
1000+ 39.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис VS-10ETS08S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: VISHAY - VS-10ETS08S-M3 - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 10 A, Einfach, 1.1 V, 160 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-263AB, Durchlassstoßstrom: 160A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.1V, Sperrverzögerungszeit: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції VS-10ETS08S-M3 за ціною від 46 грн до 137.6 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
VS-10ETS08S-M3 VS-10ETS08S-M3 Виробник : Vishay Semiconductors vs-10ets08s.pdf Rectifiers New Input Diodes - D2PAK-e3
на замовлення 8480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+125.21 грн
10+ 100.18 грн
100+ 68.72 грн
500+ 58.05 грн
1000+ 47.25 грн
2000+ 46 грн
Мінімальне замовлення: 3
VS-10ETS08S-M3 VS-10ETS08S-M3 Виробник : VISHAY 2631407.pdf Description: VISHAY - VS-10ETS08S-M3 - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 10 A, Einfach, 1.1 V, 160 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263AB
Durchlassstoßstrom: 160A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 6444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+137.6 грн
10+ 102.41 грн
100+ 77.08 грн
500+ 60.47 грн
1000+ 51.46 грн
5000+ 47.04 грн
Мінімальне замовлення: 6
VS-10ETS08S-M3 VS-10ETS08S-M3 Виробник : Vishay vs-10ets08s.pdf Rectifier Diode Switching 800V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
VS-10ETS08S-M3 Виробник : VISHAY vs-10ets08s.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 800V; 10A; D2PAK,TO263AB
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated
Case: D2PAK; TO263AB
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
VS-10ETS08S-M3 Виробник : VISHAY vs-10ets08s.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 800V; 10A; D2PAK,TO263AB
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated
Case: D2PAK; TO263AB
товар відсутній