![VS-10ETS08FP-M3 VS-10ETS08FP-M3](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/2e84afc8beebe715e26fba61a05db06a3f4520b5/93222-pt-medium.jpg)
VS-10ETS08FP-M3 Vishay
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 104.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-10ETS08FP-M3 Vishay
Description: DIODE GP 800V 10A TO220-2FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 800 V.
Інші пропозиції VS-10ETS08FP-M3 за ціною від 58.37 грн до 108.56 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
VS-10ETS08FP-M3 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 800 V |
на замовлення 899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
VS-10ETS08FP-M3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
![]() |
VS-10ETS08FP-M3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
VS-10ETS08FP-M3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 10A; tube; Ifsm: 160A; TO220FP Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated Case: TO220FP Max. forward voltage: 1.1V Max. forward impulse current: 160A Leakage current: 0.5mA Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
VS-10ETS08FP-M3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
VS-10ETS08FP-M3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 10A; tube; Ifsm: 160A; TO220FP Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated Case: TO220FP Max. forward voltage: 1.1V Max. forward impulse current: 160A Leakage current: 0.5mA Kind of package: tube |
товар відсутній |