VS-10ETF12-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 310 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.33 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 310 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.33 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
на замовлення 6843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 148.17 грн |
50+ | 76.9 грн |
100+ | 70.14 грн |
500+ | 63.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-10ETF12-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 310 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.33 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції VS-10ETF12-M3 за ціною від 86.51 грн до 162.29 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
VS-10ETF12-M3 | Виробник : Vishay Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - TO-220-e3 |
на замовлення 5381 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||
VS-10ETF12-M3 | Виробник : Vishay | Diode Switching 1.2KV 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC |
товару немає в наявності |
||||||||
VS-10ETF12-M3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 10A; tube; Ifsm: 140A; TO220AC; 310ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Case: TO220AC Max. forward voltage: 1.33V Max. forward impulse current: 140A Reverse recovery time: 310ns Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||
VS-10ETF12-M3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 10A; tube; Ifsm: 140A; TO220AC; 310ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Case: TO220AC Max. forward voltage: 1.33V Max. forward impulse current: 140A Reverse recovery time: 310ns Kind of package: tube |
товару немає в наявності |