VS-10ETF04-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
![vs-10etf0m3.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: DIODE GEN PURP 400V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 400 V
на замовлення 7878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 163.59 грн |
50+ | 126.62 грн |
100+ | 104.17 грн |
500+ | 82.72 грн |
1000+ | 70.19 грн |
2000+ | 66.68 грн |
5000+ | 63.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-10ETF04-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 10A TO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 200 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 400 V.
Інші пропозиції VS-10ETF04-M3 за ціною від 68.99 грн до 178.87 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
VS-10ETF04-M3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 743 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
VS-10ETF04-M3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 10A; tube; Ifsm: 130A; TO220AC; 200ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Kind of package: tube Max. forward impulse current: 130A Case: TO220AC Max. forward voltage: 1.2V Reverse recovery time: 200ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
VS-10ETF04-M3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 10A; tube; Ifsm: 130A; TO220AC; 200ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Kind of package: tube Max. forward impulse current: 130A Case: TO220AC Max. forward voltage: 1.2V Reverse recovery time: 200ns |
товар відсутній |