Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > VP3203N3-G
VP3203N3-G

VP3203N3-G Microchip Technology

vp3203b082613.pdf Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.65A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+100.77 грн
25+ 91.1 грн
100+ 85.68 грн
Мінімальне замовлення: 7
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис VP3203N3-G Microchip Technology

Description: MICROCHIP - VP3203N3-G - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 30 V, 650 mA, 0.6 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 650mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 740mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 740mW, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.6ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції VP3203N3-G за ціною від 91.02 грн до 180.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
VP3203N3-G VP3203N3-G Виробник : Microchip Technology vp3203b082613.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.65A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
113+108.52 грн
125+ 98.11 грн
133+ 92.27 грн
Мінімальне замовлення: 113
VP3203N3-G VP3203N3-G Виробник : Microchip Technology vp3203b082613.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.65A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
107+114.35 грн
113+ 109.16 грн
125+ 98.14 грн
200+ 91.02 грн
Мінімальне замовлення: 107
VP3203N3-G VP3203N3-G Виробник : Microchip Technology VP3203%20B082613.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 650MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+135 грн
Мінімальне замовлення: 3
VP3203N3-G VP3203N3-G Виробник : MICROCHIP 2374153.pdf Description: MICROCHIP - VP3203N3-G - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 30 V, 650 mA, 0.6 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 650mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 740mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 740mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.6ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+137.6 грн
25+ 114.4 грн
100+ 103.2 грн
1000+ 94.34 грн
Мінімальне замовлення: 6
VP3203N3-G VP3203N3-G Виробник : Microchip Technology VP3203B082613-3444357.pdf MOSFETs 30V 0.6Ohm
на замовлення 1538 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+143.1 грн
100+ 117.28 грн
500+ 92 грн
Мінімальне замовлення: 3
VP3203N3-G VP3203N3-G Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY vp3203.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -650mA; Idm: -4A; 740mW; TO92
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -650mA
Pulsed drain current: -4A
Power dissipation: 0.74W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+150.4 грн
5+ 127.03 грн
8+ 109.94 грн
22+ 104 грн
Мінімальне замовлення: 3
VP3203N3-G VP3203N3-G Виробник : Microchip Technology vp3203b082613.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.65A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
80+153.35 грн
250+ 119.81 грн
500+ 110.38 грн
Мінімальне замовлення: 80
VP3203N3-G VP3203N3-G Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY vp3203.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -650mA; Idm: -4A; 740mW; TO92
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -650mA
Pulsed drain current: -4A
Power dissipation: 0.74W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 99 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+180.48 грн
5+ 158.3 грн
8+ 131.93 грн
22+ 124.8 грн
100+ 122.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
VP3203N3-G VP3203N3-G Виробник : Microchip Technology vp3203b082613.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.65A 3-Pin TO-92 Bag
товар відсутній
VP3203N3-G VP3203N3-G Виробник : Microchip Technology vp3203b082613.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.65A 3-Pin TO-92 Bag
товар відсутній