VP0106N3-G Microchip Technology
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
16+ | 39.35 грн |
21+ | 28.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VP0106N3-G Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 60V 250MA TO92-3, Packaging: Bag, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-92-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V.
Інші пропозиції VP0106N3-G за ціною від 52.29 грн до 109.75 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
VP0106N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET P-CH 60V 250MA TO92-3 Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V |
на замовлення 1159 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
VP0106N3-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.5A; 1W; TO92 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Pulsed drain current: -0.5A Power dissipation: 1W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced |
на замовлення 83 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
VP0106N3-G | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 4188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
VP0106N3-G | Виробник : Microchip Technology | MOSFET 60V 8Ohm |
на замовлення 2034 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
VP0106N3-G | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 4188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
VP0106N3-G | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
VP0106N3-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.5A; 1W; TO92 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Pulsed drain current: -0.5A Power dissipation: 1W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 83 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
VP0106N3-G | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
VP0106N3-G | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag |
товар відсутній |