VN1206L-G MICROCHIP TECHNOLOGY
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 230mA; Idm: 2A; 1W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 230mA
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 230mA; Idm: 2A; 1W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 230mA
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 72.8 грн |
7+ | 60.99 грн |
10+ | 56.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VN1206L-G MICROCHIP TECHNOLOGY
Description: MICROCHIP - VN1206L-G - DMOSFET, N-CH, 0.23A, 120V, TO-92, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Through Hole, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 230mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції VN1206L-G за ціною від 67.89 грн до 534.37 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
VN1206L-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 230mA; Idm: 2A; 1W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 120V Drain current: 230mA Pulsed drain current: 2A Power dissipation: 1W Case: TO92 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 6Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 476 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
VN1206L-G | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 120V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 434 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
VN1206L-G | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 120V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 434 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
VN1206L-G | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 120V 230MA TO92-3 Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V |
на замовлення 1031 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
VN1206L-G | Виробник : Microchip Technology | MOSFET 120V 6Ohm |
на замовлення 1498 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
VN1206L-G | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - VN1206L-G - DMOSFET, N-CH, 0.23A, 120V, TO-92 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 992 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
VN1206L-G | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 120V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
VN1206L-G | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 120V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag |
товар відсутній |
||||||||||||||
VN1206L-G | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 120V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag |
товар відсутній |