VN10KN3-G Microchip Technology
на замовлення 4450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
310+ | 38.94 грн |
500+ | 34.96 грн |
1000+ | 33.79 грн |
3000+ | 30.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VN10KN3-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - VN10KN3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 310mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції VN10KN3-G за ціною від 26.61 грн до 89.88 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
VN10KN3-G | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.31A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
VN10KN3-G | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.31A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 368 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
VN10KN3-G | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3 Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V |
на замовлення 4190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
VN10KN3-G | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.31A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 2202 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
VN10KN3-G | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.31A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 278 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
VN10KN3-G | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - VN10KN3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 310mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
VN10KN3-G | Виробник : Microchip Technology | MOSFETs 60V 5Ohm |
на замовлення 5529 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
VN10KN3-G | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.31A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 2202 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
VN10KN3-G | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.31A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 278 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
VN10KN3-G | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.31A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
VN10KN3-G | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.31A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 662 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
VN10KN3-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 310mA; Idm: 1A; 1W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.31A Pulsed drain current: 1A Power dissipation: 1W Case: TO92 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced |
на замовлення 647 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
VN10KN3-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 310mA; Idm: 1A; 1W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.31A Pulsed drain current: 1A Power dissipation: 1W Case: TO92 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 647 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
VN10KN3-G | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.31A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
VN10KN3-G Код товару: 117018 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|