VBT2080C-E3/4W Vishay General Semiconductor
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 95.94 грн |
| 10+ | 77.5 грн |
| 100+ | 57.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VBT2080C-E3/4W Vishay General Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 80V 10A TO263AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A, Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK), Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 810 mV @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 600 µA @ 80 V.
Інші пропозиції VBT2080C-E3/4W
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
VBT2080C-E3/4W | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: DIODE ARR SCHOTT 80V 10A TO263ABPackaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 810 mV @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 600 µA @ 80 V |
товар відсутній |