Продукція > VISHAY > VBT10200C-E3/8W
VBT10200C-E3/8W

VBT10200C-E3/8W Vishay


vt10200c.pdf Виробник: Vishay
Diode Schottky 200V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис VBT10200C-E3/8W Vishay

Description: DIODE ARR SCHOTT 200V 5A TO263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A, Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK), Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 200 V.

Інші пропозиції VBT10200C-E3/8W

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
VBT10200C-E3/8W VBT10200C-E3/8W Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division VT10200C.pdf Description: DIODE ARR SCHOTT 200V 5A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 200 V
товар відсутній
VBT10200C-E3/8W VBT10200C-E3/8W Виробник : Vishay General Semiconductor VT10200C.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 10A 200V TrenchMOS
товар відсутній