VB60170G-E3/8W

VB60170G-E3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division


vb60170g.pdf Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARR SCHOT 170V 30A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 170 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.02 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 450 µA @ 170 V
на замовлення 5600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+100.57 грн
1600+ 82.17 грн
2400+ 78.06 грн
5600+ 70.51 грн
Мінімальне замовлення: 800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис VB60170G-E3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE ARR SCHOT 170V 30A TO263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A, Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK), Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 170 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.02 V @ 30 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 450 µA @ 170 V.

Інші пропозиції VB60170G-E3/8W за ціною від 107.54 грн до 195.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
VB60170G-E3/8W VB60170G-E3/8W Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division vb60170g.pdf Description: DIODE ARR SCHOT 170V 30A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 170 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.02 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 450 µA @ 170 V
на замовлення 5941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+179.43 грн
10+ 143.79 грн
100+ 114.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
VB60170G-E3/8W VB60170G-E3/8W Виробник : Vishay General Semiconductor vb60170g.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 60A 170V Dual TrenchMOS
на замовлення 5083 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+195.16 грн
10+ 160.04 грн
100+ 111.05 грн
500+ 107.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
VB60170G-E3/8W VB60170G-E3/8W Виробник : Vishay vb60170g.pdf Rectifier Diode Schottky 170V 60A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товар відсутній
VB60170G-E3/8W VB60170G-E3/8W Виробник : Vishay vb60170g.pdf Rectifier Diode Schottky 170V 60A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товар відсутній