V20120SG-E3/4W
Виробник: на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис V20120SG-E3/4W
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Current - Average Rectified (Io): 20A, Supplier Device Package: TO-220-3, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.33 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 120 V.
Інші пропозиції V20120SG-E3/4W
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
V20120SG-E3/4W | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-220-3 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.33 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 120 V |
товар відсутній |
|
 |
V20120SG-E3/4W | Виробник : Vishay General Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 20 Amp 120 Volt Single TrenchMOS |
товар відсутній |