![V20120S-E3/4W V20120S-E3/4W](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4846/112_TO-220AB.jpg)
V20120S-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division
![v20120s.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.12 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 120 V
на замовлення 7853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 81.42 грн |
10+ | 64.46 грн |
100+ | 50.14 грн |
500+ | 39.89 грн |
1000+ | 32.49 грн |
2000+ | 30.59 грн |
5000+ | 28.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис V20120S-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Current - Average Rectified (Io): 20A, Supplier Device Package: TO-220-3, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.12 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 120 V.
Інші пропозиції V20120S-E3/4W за ціною від 75.74 грн до 90.25 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
V20120S-E3/4W | Виробник : Vishay General Semiconductor |
![]() |
на замовлення 7695 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
V20120S-E3/4W |
![]() |
на замовлення 200000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||
![]() |
V20120S-E3/4W | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||
![]() |
V20120S-E3/4W | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |