Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > UT6ME5TCR
UT6ME5TCR

UT6ME5TCR Rohm Semiconductor

ut6me5tcr-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 100V 2A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 1A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 207mOhm @ 2A, 10V, 840mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 10V, 6.7nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+43.76 грн
10+ 36.22 грн
25+ 33.83 грн
100+ 25.4 грн
250+ 23.59 грн
500+ 19.96 грн
1000+ 15.17 грн
Мінімальне замовлення: 8
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UT6ME5TCR Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N/P-CH 100V 2A HUML2020L8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-PowerUDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 1A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 50V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 207mOhm @ 2A, 10V, 840mOhm @ 1A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 10V, 6.7nC @ 10V, FET Feature: Standard, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: HUML2020L8.

Інші пропозиції UT6ME5TCR за ціною від 12.7 грн до 63.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
UT6ME5TCR UT6ME5TCR Виробник : ROHM Semiconductor ut6me5tcr-e.pdf MOSFETs DFN 100V 2A DUAL CH
на замовлення 906 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+63.92 грн
10+ 37.46 грн
100+ 21.93 грн
500+ 19.73 грн
1000+ 17.53 грн
3000+ 14.27 грн
9000+ 12.7 грн
Мінімальне замовлення: 6
UT6ME5TCR UT6ME5TCR Виробник : Rohm Semiconductor ut6me5tcr-e.pdf Description: MOSFET N/P-CH 100V 2A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 1A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 207mOhm @ 2A, 10V, 840mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 10V, 6.7nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
товару немає в наявності