UT6MC5TCR Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 60V 3.5A/2.5A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3.5A, 10V, 280mOhm @ 2.5A, 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 24.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UT6MC5TCR Rohm Semiconductor
Description: ROHM - UT6MC5TCR - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 3.5 A, 2.5 A, 0.073 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.22ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: DFN2020, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.073ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Інші пропозиції UT6MC5TCR за ціною від 20.88 грн до 71.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
UT6MC5TCR | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - UT6MC5TCR - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 3.5 A, 2.5 A, 0.073 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.22ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.073ohm productTraceability: No Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
UT6MC5TCR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 60V 3.5A/2.5A HUML2020L8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3.5A, 10V, 280mOhm @ 2.5A, 10V FET Feature: Standard Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: HUML2020L8 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
UT6MC5TCR | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - UT6MC5TCR - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 3.5 A, 2.5 A, 0.073 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.22ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.073ohm productTraceability: No Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|