![UT6MA3TCR UT6MA3TCR](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/5722/846~HUML2020L8-2EP~~6.jpg)
UT6MA3TCR Rohm Semiconductor
![datasheet?p=UT6MA3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N/P-CH 20V 5A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A, 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 21.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UT6MA3TCR Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 20V 5A HUML2020L8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-PowerUDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A, 5.5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA, Supplier Device Package: HUML2020L8, Part Status: Active.
Інші пропозиції UT6MA3TCR за ціною від 18.56 грн до 68.14 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
UT6MA3TCR | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 5950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
UT6MA3TCR | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
UT6MA3TCR | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
UT6MA3TCR | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A, 5.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: HUML2020L8 Part Status: Active |
на замовлення 11255 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
UT6MA3TCR | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 8734 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
UT6MA3TCR | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 5.5/-5A; Idm: 12A; 2W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: DFN2020D-8 On-state resistance: 63/76mΩ Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 2W Gate charge: 4/6.5nC Polarisation: unipolar Drain current: 5.5/-5A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 20/-20V Type of transistor: N/P-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
UT6MA3TCR | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 5.5/-5A; Idm: 12A; 2W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: DFN2020D-8 On-state resistance: 63/76mΩ Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 2W Gate charge: 4/6.5nC Polarisation: unipolar Drain current: 5.5/-5A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 20/-20V Type of transistor: N/P-MOSFET |
товар відсутній |