Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > UT6JE5TCR
UT6JE5TCR

UT6JE5TCR Rohm Semiconductor

ut6je5tcr-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 100V 1A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 840mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+42.99 грн
10+ 34.97 грн
25+ 32.65 грн
100+ 24.5 грн
250+ 22.76 грн
500+ 19.26 грн
1000+ 14.64 грн
Мінімальне замовлення: 8
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UT6JE5TCR Rohm Semiconductor

Description: MOSFET 2P-CH 100V 1A HUML2020L8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-PowerUDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 50V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 840mOhm @ 1A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V, FET Feature: Standard, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: HUML2020L8.

Інші пропозиції UT6JE5TCR за ціною від 12.28 грн до 54.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
UT6JE5TCR UT6JE5TCR Виробник : ROHM Semiconductor ut6je5tcr-e.pdf MOSFETs -100V 1.0A, Dual Pch+Pch, DFN2020-8D, Power MOSFET
на замовлення 4787 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+54.65 грн
10+ 36.48 грн
100+ 21.29 грн
500+ 19.23 грн
1000+ 16.68 грн
3000+ 14.48 грн
9000+ 12.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
UT6JE5TCR UT6JE5TCR Виробник : Rohm Semiconductor ut6je5tcr-e.pdf Description: MOSFET 2P-CH 100V 1A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 840mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
товару немає в наявності