Продукція > ROHM > UT6J3TCR1
UT6J3TCR1

UT6J3TCR1 ROHM

datasheet?p=UT6J3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: ROHM
Description: ROHM - UT6J3TCR1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 3 A, 3 A, 0.06 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+45.04 грн
500+ 34.62 грн
1000+ 30.24 грн
3000+ 25.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UT6J3TCR1 ROHM

Description: ROHM - UT6J3TCR1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 3 A, 3 A, 0.06 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: DFN2020, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції UT6J3TCR1 за ціною від 25.65 грн до 86.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
UT6J3TCR1 UT6J3TCR1 Виробник : ROHM datasheet?p=UT6J3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - UT6J3TCR1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 3 A, 3 A, 0.06 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+65.92 грн
14+ 57.76 грн
100+ 45.04 грн
500+ 34.62 грн
1000+ 30.24 грн
3000+ 25.65 грн
Мінімальне замовлення: 13
UT6J3TCR1 UT6J3TCR1 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=UT6J3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN2020-8D
на замовлення 2974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+74.06 грн
10+ 58.76 грн
100+ 45.73 грн
500+ 36.38 грн
1000+ 29.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
UT6J3TCR1 UT6J3TCR1 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=UT6J3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET MOSFET
на замовлення 4820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+86.53 грн
10+ 64.95 грн
100+ 47.14 грн
500+ 42.5 грн
1000+ 39.65 грн
3000+ 33.66 грн
6000+ 29.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
UT6J3TCR1 UT6J3TCR1 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=UT6J3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN2020-8D
товар відсутній