![US1MHE3_A/H US1MHE3_A/H](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/26/112%3BDO214AC%2CSMA%3B%3B2.jpg)
US1MHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division
![us1_test_dcicons.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1800+ | 8.7 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис US1MHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: VISHAY - US1MHE3_A/H - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.7 V, 75 ns, 30 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-214AC (SMA), Durchlassstoßstrom: 30A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: AEC-Q101, Durchlassspannung, max.: 1.7V, Sperrverzögerungszeit: 75ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції US1MHE3_A/H за ціною від 6.18 грн до 32.17 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
US1MHE-3-A/H | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
US1MHE3_A/H | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 19800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
US1MHE-3-A/H | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
US1MHE3_A/H | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.7V Sperrverzögerungszeit: 75ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 14577 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
US1MHE-3-A/H | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
US1MHE3_A/H | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 75ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.7V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1A Reverse recovery time: 75ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Case: DO214AC; SMA Max. forward voltage: 1.7V Max. forward impulse current: 30A Leakage current: 50µA Kind of package: reel; tape Application: automotive industry |
на замовлення 765 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
US1MHE3_A/H | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3777 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
US1MHE3_A/H | Виробник : Vishay General Semiconductor |
![]() |
на замовлення 27263 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
US1MHE3_A/H | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.7V Sperrverzögerungszeit: 75ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 14577 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
US1MHE3_A/H | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 75ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.7V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1A Reverse recovery time: 75ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Case: DO214AC; SMA Max. forward voltage: 1.7V Max. forward impulse current: 30A Leakage current: 50µA Kind of package: reel; tape Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 765 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
US1MHE-3-A/H | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
![]() |
US1MHE-3-A/H | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |