![US1MHE3_A/I US1MHE3_A/I](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/26/112%3BDO214AC%2CSMA%3B%3B2.jpg)
US1MHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division
![us1_test_dcicons.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7500+ | 6.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис US1MHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AC, SMA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-214AC (SMA), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Grade: Automotive, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції US1MHE3_A/I за ціною від 5.75 грн до 22.68 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
US1MHE3_A/I | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 45875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
US1MHE3_A/I | Виробник : Vishay General Semiconductor |
![]() |
на замовлення 28478 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
US1MHE3_A/I | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
US1MH-E3-A/I | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |