US1A M2G Taiwan Semiconductor
на замовлення 5448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 31.79 грн |
| 15+ | 21.8 грн |
| 100+ | 9.62 грн |
| 1000+ | 8.71 грн |
| 7500+ | 4.6 грн |
| 22500+ | 4.46 грн |
| 45000+ | 3.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис US1A M2G Taiwan Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AC, SMA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 50 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-214AC (SMA), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Discontinued at Digi-Key, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V.
Інші пропозиції US1A M2G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
US1A M2G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
 Diode Switching 50V 1A 2-Pin SMA |
товар відсутній |
|
 |
US1A M2G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V |
товар відсутній |