![UMH9NTN UMH9NTN](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4955/846%3BUMT6%3BUM%3B6.jpg)
UMH9NTN Rohm Semiconductor
![datasheet?p=UMH9N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key](/images/adobe-acrobat.png)
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 7.11 грн |
6000+ | 6.69 грн |
9000+ | 5.93 грн |
30000+ | 5.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UMH9NTN Rohm Semiconductor
Description: ROHM - UMH9NTN - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Produktpalette: UMH9N Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції UMH9NTN за ціною від 3.72 грн до 33.95 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
UMH9NTN | Виробник : ROHM |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-363 Produktpalette: UMH9N Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 4269 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
UMH9NTN | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: UMT6 |
на замовлення 64397 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
UMH9NTN | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 24443 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
UMH9NTN | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
UMH9 N TN | Виробник : ROHM |
на замовлення 54000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
UMH9 N TN | Виробник : ROHM | SOT26/SOT363 |
на замовлення 2964 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
UMH9 N TN | Виробник : ROHM | SOT363-H9 PB-FRE |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |