UM6K31NTN

UM6K31NTN Rohm Semiconductor


datasheet?p=UM6K31N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active
на замовлення 120000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UM6K31NTN Rohm Semiconductor

Description: ROHM - UM6K31NTN - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 250 mA, 250 mA, 1.7 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 250mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.7ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 150mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.7ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 150mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції UM6K31NTN за ціною від 4.77 грн до 29.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
UM6K31NTN UM6K31NTN Виробник : Rohm Semiconductor um6k31n-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.25A 6-Pin UMT T/R
на замовлення 7988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1446+8.46 грн
1576+ 7.76 грн
1624+ 7.53 грн
2000+ 6.99 грн
3000+ 6.44 грн
6000+ 5.99 грн
Мінімальне замовлення: 1446
UM6K31NTN UM6K31NTN Виробник : ROHM um6k31ntn-e.pdf Description: ROHM - UM6K31NTN - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 250 mA, 250 mA, 1.7 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.7ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.7ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+11.39 грн
500+ 8.23 грн
1000+ 5.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
UM6K31NTN UM6K31NTN Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=UM6K31N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 150mW; UMT6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.25A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.15W
Case: UMT6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 2705 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
35+13.14 грн
50+ 7.49 грн
100+ 5.95 грн
165+ 5.22 грн
445+ 4.92 грн
Мінімальне замовлення: 35
UM6K31NTN UM6K31NTN Виробник : Rohm Semiconductor um6k31n-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.25A 6-Pin UMT T/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
930+13.16 грн
965+ 12.69 грн
1000+ 12.27 грн
2500+ 11.49 грн
Мінімальне замовлення: 930
UM6K31NTN UM6K31NTN Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=UM6K31N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 150mW; UMT6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.25A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.15W
Case: UMT6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2705 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+15.76 грн
30+ 9.34 грн
100+ 7.14 грн
165+ 6.26 грн
445+ 5.91 грн
Мінімальне замовлення: 20
UM6K31NTN UM6K31NTN Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=UM6K31N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active
на замовлення 125851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+17.55 грн
23+ 13.01 грн
100+ 7.8 грн
500+ 6.78 грн
1000+ 4.77 грн
Мінімальне замовлення: 18
UM6K31NTN UM6K31NTN Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=UM6K31N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET Trans MOSFET N-CH 60V 0.25A
на замовлення 6701 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+26.83 грн
17+ 19.23 грн
100+ 9.88 грн
1000+ 6.77 грн
3000+ 5.57 грн
9000+ 5.29 грн
24000+ 5.22 грн
Мінімальне замовлення: 13
UM6K31NTN UM6K31NTN Виробник : ROHM um6k31ntn-e.pdf Description: ROHM - UM6K31NTN - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 250 mA, 250 mA, 1.7 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.7ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.7ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
27+29.59 грн
37+ 21.52 грн
100+ 11.39 грн
500+ 8.23 грн
1000+ 5.36 грн
Мінімальне замовлення: 27
UM6K31NTN UM6K31NTN Виробник : Rohm Semiconductor um6k31n-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.25A 6-Pin UMT T/R
на замовлення 843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
UM6K31NTN datasheet?p=UM6K31N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)