![UGB8DT-E3/45 UGB8DT-E3/45](https://www.mouser.com/images/vishay/lrg/BYQ28EB-100HE3-81_DSL.jpg)
UGB8DT-E3/45 Vishay General Semiconductor
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 95.94 грн |
10+ | 77.43 грн |
100+ | 52.22 грн |
500+ | 44.35 грн |
1000+ | 35.99 грн |
2000+ | 35.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UGB8DT-E3/45 Vishay General Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB, Packaging: Tube, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 30 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V.
Інші пропозиції UGB8DT-E3/45
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
UGB8DT-E3/45 Код товару: 184744 |
![]() |
товар відсутній
|
|||
![]() |
UGB8DT-E3/45 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
UGB8DT-E3/45 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tube Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V |
товар відсутній |