![TW027N65C,S1F TW027N65C,S1F](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2579/MFG_TW0xxNxxC,S1F.jpg)
TW027N65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage
![TW027N65C_datasheet_en_20221214.pdf?did=143229&prodName=TW027N65C](/images/adobe-acrobat.png)
Description: G3 650V SIC-MOSFET TO-247 27MOH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 29A, 18V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2288 pF @ 400 V
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1616.4 грн |
10+ | 1125.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TW027N65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 650V SIC-MOSFET TO-247 27MOH, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C, Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 29A, 18V, Power Dissipation (Max): 156W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA, Supplier Device Package: TO-247, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +25V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2288 pF @ 400 V.
Інші пропозиції TW027N65C,S1F за ціною від 952.37 грн до 1698.22 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
TW027N65C,S1F | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 146 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|