TSM680P06CP Taiwan Semiconductor Co. LTD


Виробник: Taiwan Semiconductor Co. LTD
MOSFET P-CHANNEL 60V 18A TO252 TSM680P06CP ROG TSM680P06CP TTSM680p06cp
на замовлення 100 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM680P06CP Taiwan Semiconductor Co. LTD

Description: -60V, -18A, SINGLE P-CHANNEL POW, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 20W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 30 V.

Інші пропозиції TSM680P06CP

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TSM680P06CP TSM680P06CP Виробник : Taiwan Semiconductor 1500433386707051tsm680p06_f15.pdf P Channel Power MOSFET
товар відсутній
TSM680P06CP Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation Description: -60V, -18A, SINGLE P-CHANNEL POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 30 V
товар відсутній