Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > TSM60NE200CIT C0G
TSM60NE200CIT C0G

TSM60NE200CIT C0G Taiwan Semiconductor Corporation

Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 4A, 12V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.65mA
Supplier Device Package: ITO-220TL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1238 pF @ 300 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+257.95 грн
10+ 208.48 грн
100+ 168.67 грн
500+ 140.7 грн
1000+ 120.48 грн
2000+ 113.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM60NE200CIT C0G Taiwan Semiconductor Corporation

Description: MOSFET, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 4A, 12V, Power Dissipation (Max): 63W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.65mA, Supplier Device Package: ITO-220TL, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1238 pF @ 300 V.

Інші пропозиції TSM60NE200CIT C0G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TSM60NE200CIT C0G Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM60NE200CIT-C0G THT N channel transistors
товару немає в наявності