TSM60NE069CIT C0G Taiwan Semiconductor Corporation
Виробник: Taiwan Semiconductor CorporationDescription: 600V, 24A, SINGLE N-CHANNEL HIGH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 8A, 12V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 3.5mA
Supplier Device Package: ITO-220TL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3551 pF @ 300 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 675.59 грн |
| 10+ | 557.86 грн |
| 100+ | 464.86 грн |
| 500+ | 384.93 грн |
| 1000+ | 346.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSM60NE069CIT C0G Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 600V, 24A, SINGLE N-CHANNEL HIGH, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 8A, 12V, Power Dissipation (Max): 89W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 3.5mA, Supplier Device Package: ITO-220TL, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3551 pF @ 300 V.
Інші пропозиції TSM60NE069CIT C0G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| TSM60NE069CIT C0G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
TSM60NE069CIT-C0G THT N channel transistors |
товару немає в наявності |