Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > TSM60NC196CI C0G
TSM60NC196CI C0G

TSM60NC196CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation

pdf.php?pn=TSM60NC196CI Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 600V, 20A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: ITO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1535 pF @ 300 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+244.41 грн
10+ 197.2 грн
100+ 159.56 грн
500+ 133.1 грн
1000+ 113.97 грн
2000+ 107.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM60NC196CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation

Description: 600V, 20A, SINGLE N-CHANNEL POWE, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 70W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Supplier Device Package: ITO-220, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1535 pF @ 300 V.

Інші пропозиції TSM60NC196CI C0G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TSM60NC196CI C0G TSM60NC196CI C0G Виробник : Taiwan Semiconductor tsm60nc196ci_b2209.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) ITO-220
товар відсутній