![TSM60NB260CI C0G TSM60NB260CI C0G](https://www.mouser.com/images/taiwansemiconductor/lrg/ITO_220_AB_DSL.jpg)
TSM60NB260CI C0G Taiwan Semiconductor
на замовлення 2065 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 569.15 грн |
10+ | 507.32 грн |
100+ | 365.18 грн |
500+ | 317.79 грн |
1000+ | 277.37 грн |
2000+ | 266.92 грн |
4000+ | 262.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSM60NB260CI C0G Taiwan Semiconductor
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.8A; 32.1W; TO220FP, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 7.8A, On-state resistance: 0.26Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 32.1W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 30nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Mounting: THT, Case: TO220FP, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції TSM60NB260CI C0G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
TSM60NB260CI C0G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.8A; 32.1W; TO220FP Drain-source voltage: 600V Drain current: 7.8A On-state resistance: 0.26Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 32.1W Polarisation: unipolar Gate charge: 30nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Mounting: THT Case: TO220FP кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
![]() |
TSM60NB260CI C0G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.8A; 32.1W; TO220FP Drain-source voltage: 600V Drain current: 7.8A On-state resistance: 0.26Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 32.1W Polarisation: unipolar Gate charge: 30nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Mounting: THT Case: TO220FP |
товар відсутній |