![TSM60N900CI C0G TSM60N900CI C0G](https://media.digikey.com/Photos/Taiwan%20Semi%20photos/Taiwan-TO-220-3FP.jpg)
TSM60N900CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSM60N900CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.5A; 20W; TO220FP, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 4.5A, Power dissipation: 20W, Case: TO220FP, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.9Ω, Mounting: THT, Gate charge: 9.7nC, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції TSM60N900CI C0G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
TSM60N900CI C0G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
TSM60N900CI C0G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.5A; 20W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 4.5A Power dissipation: 20W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: THT Gate charge: 9.7nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
![]() |
TSM60N900CI C0G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.5A; 20W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 4.5A Power dissipation: 20W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: THT Gate charge: 9.7nC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |