Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > TSM60N380CZ C0G
TSM60N380CZ C0G

TSM60N380CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation

TSM60N380CZ_A1607.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 11A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 100 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+166.12 грн
10+ 132.76 грн
100+ 105.64 грн
500+ 83.88 грн
1000+ 71.17 грн
2000+ 67.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM60N380CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation

Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 11A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 100 V.

Інші пропозиції TSM60N380CZ C0G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TSM60N380CZ C0G Виробник : Taiwan Semiconductor TSM60N380CZ_A1607-1121934.pdf MOSFET 60V 11Amp 0,38 N channel Mosfet
товар відсутній