TSM60N380CP ROG TAIWAN SEMICONDUCTOR


TSM60N380_A14.pdf Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 125W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20.5nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM60N380CP ROG TAIWAN SEMICONDUCTOR

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 125W; DPAK, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 11A, Power dissipation: 125W, Case: DPAK, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.38Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 20.5nC, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції TSM60N380CP ROG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TSM60N380CP ROG TSM60N380CP ROG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TSM60N380_A14.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 11A TO252
товар відсутній
TSM60N380CP ROG TSM60N380CP ROG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TSM60N380_A14.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 11A TO252
товар відсутній
TSM60N380CP ROG Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM60N380_A14.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 125W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20.5nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній