Технічний опис TSM60N1R4CP ROG Taiwan Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.3A; 38W; DPAK, Case: DPAK, Mounting: SMD, Type of transistor: N-MOSFET, On-state resistance: 1.4Ω, Gate-source voltage: ±30V, Power dissipation: 38W, Gate charge: 7.7nC, Polarisation: unipolar, Drain current: 3.3A, Kind of channel: enhanced, Drain-source voltage: 600V, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції TSM60N1R4CP ROG
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
TSM60N1R4CP ROG | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.3A; 38W; DPAK Case: DPAK Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 1.4Ω Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 38W Gate charge: 7.7nC Polarisation: unipolar Drain current: 3.3A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 600V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
![]() |
TSM60N1R4CP ROG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
TSM60N1R4CP ROG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() |
товар відсутній |
|
TSM60N1R4CP ROG | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.3A; 38W; DPAK Case: DPAK Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 1.4Ω Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 38W Gate charge: 7.7nC Polarisation: unipolar Drain current: 3.3A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 600V |
товар відсутній |