Технічний опис TSM60N1R4CH C5G Taiwan Semiconductor
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.3A; 38W; IPAK, Case: IPAK, Mounting: THT, Type of transistor: N-MOSFET, On-state resistance: 1.4Ω, Gate-source voltage: ±30V, Power dissipation: 38W, Gate charge: 7.7nC, Polarisation: unipolar, Drain current: 3.3A, Kind of channel: enhanced, Drain-source voltage: 600V, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції TSM60N1R4CH C5G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| TSM60N1R4CH C5G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.3A; 38W; IPAK Case: IPAK Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 1.4Ω Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 38W Gate charge: 7.7nC Polarisation: unipolar Drain current: 3.3A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 600V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
| TSM60N1R4CH C5G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.3A; 38W; IPAK Case: IPAK Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 1.4Ω Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 38W Gate charge: 7.7nC Polarisation: unipolar Drain current: 3.3A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 600V |
товар відсутній |