TSM4NB65CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation
на замовлення 841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 206.06 грн |
| 10+ | 178.22 грн |
| 100+ | 143.24 грн |
| 500+ | 110.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSM4NB65CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.4A; 25W; TO220FP, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 2.4A, Power dissipation: 25W, Case: TO220FP, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 3.37Ω, Mounting: THT, Gate charge: 13.46nC, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції TSM4NB65CI C0G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TSM4NB65CI C0G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 650V 4A 3-Pin(3+Tab) ITO-220 Tube |
товар відсутній |
|
 |
TSM4NB65CI C0G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.4A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 2.4A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.37Ω Mounting: THT Gate charge: 13.46nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
TSM4NB65CI C0G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
MOSFET 650V N channel Mosfet |
товар відсутній |
|
|
|
TSM4NB65CI C0G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.4A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 2.4A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.37Ω Mounting: THT Gate charge: 13.46nC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |