![TSM480P06CP ROG TSM480P06CP ROG](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2354/MFG_TO-252%2C-%28D-Pak%29.jpg)
TSM480P06CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation
![TSM480P06CP_B2209.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 20A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 30 V
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 53.52 грн |
10+ | 44.5 грн |
100+ | 30.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSM480P06CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 20A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 66W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 30 V.
Інші пропозиції TSM480P06CP ROG за ціною від 17 грн до 58.22 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
TSM480P06CP ROG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
на замовлення 5080 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
TSM480P06CP ROG | Виробник : Taiwan Semiconductor Co., Ltd. |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 70 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
TSM480P06CP ROG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
TSM480P06CP ROG | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -13A; 40W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -13A Power dissipation: 40W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 48mΩ Mounting: SMD Gate charge: 22.4nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
![]() |
TSM480P06CP ROG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 30 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
TSM480P06CP ROG | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -13A; 40W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -13A Power dissipation: 40W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 48mΩ Mounting: SMD Gate charge: 22.4nC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |