![TSM4806CS RLG TSM4806CS RLG](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/4c4b9a245d1f84b3af3d060caef000d314ffcea0/sop-8.jpg)
TSM4806CS RLG Taiwan Semiconductor
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
84+ | 7.17 грн |
85+ | 7.06 грн |
86+ | 6.95 грн |
100+ | 6.6 грн |
250+ | 6.01 грн |
500+ | 5.67 грн |
1000+ | 5.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSM4806CS RLG Taiwan Semiconductor
Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 28A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 961 pF @ 15 V.
Інші пропозиції TSM4806CS RLG за ціною від 10.01 грн до 61.77 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
TSM4806CS RLG | Виробник : Taiwan Semiconductor | MOSFET 20V, 28A, Single N-Channel Power MOSFET |
на замовлення 6174 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
TSM4806CS RLG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 28A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 961 pF @ 15 V |
на замовлення 4820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
TSM4806CS RLG | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 28A; 2W; SOP8 Mounting: SMD Gate charge: 12.3nC Case: SOP8 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Polarisation: unipolar Power dissipation: 2W Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 20mΩ Drain current: 28A Drain-source voltage: 20V |
на замовлення 172 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
TSM4806CS RLG | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 28A; 2W; SOP8 Mounting: SMD Gate charge: 12.3nC Case: SOP8 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Polarisation: unipolar Power dissipation: 2W Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 20mΩ Drain current: 28A Drain-source voltage: 20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 172 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
TSM4806CS RLG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
TSM4806CS RLG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
TSM4806CS RLG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 28A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 961 pF @ 15 V |
товар відсутній |