TSM4806CS RLG

TSM4806CS RLG Taiwan Semiconductor


141tsm4806_b1710.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 28A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
84+7.17 грн
85+ 7.06 грн
86+ 6.95 грн
100+ 6.6 грн
250+ 6.01 грн
500+ 5.67 грн
1000+ 5.58 грн
Мінімальне замовлення: 84
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM4806CS RLG Taiwan Semiconductor

Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 28A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 961 pF @ 15 V.

Інші пропозиції TSM4806CS RLG за ціною від 10.01 грн до 61.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TSM4806CS RLG TSM4806CS RLG Виробник : Taiwan Semiconductor MOSFET 20V, 28A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 6174 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+25.74 грн
100+ 14.88 грн
500+ 12.93 грн
1000+ 11.75 грн
2500+ 10.64 грн
5000+ 10.01 грн
Мінімальне замовлення: 13
TSM4806CS RLG TSM4806CS RLG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 28A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 961 pF @ 15 V
на замовлення 4820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+36.85 грн
10+ 30.13 грн
100+ 20.97 грн
500+ 15.36 грн
1000+ 12.49 грн
Мінімальне замовлення: 9
TSM4806CS RLG TSM4806CS RLG Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 28A; 2W; SOP8
Mounting: SMD
Gate charge: 12.3nC
Case: SOP8
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 20mΩ
Drain current: 28A
Drain-source voltage: 20V
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+51.47 грн
11+ 34.18 грн
25+ 23.9 грн
48+ 17.96 грн
130+ 17.02 грн
Мінімальне замовлення: 8
TSM4806CS RLG TSM4806CS RLG Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 28A; 2W; SOP8
Mounting: SMD
Gate charge: 12.3nC
Case: SOP8
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 20mΩ
Drain current: 28A
Drain-source voltage: 20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 172 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+61.77 грн
7+ 42.6 грн
25+ 28.68 грн
48+ 21.55 грн
130+ 20.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
TSM4806CS RLG TSM4806CS RLG Виробник : Taiwan Semiconductor 141tsm4806_b1710.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 28A 8-Pin SOP T/R
товар відсутній
TSM4806CS RLG TSM4806CS RLG Виробник : Taiwan Semiconductor 141tsm4806_b1710.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 28A 8-Pin SOP T/R
товар відсутній
TSM4806CS RLG TSM4806CS RLG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 28A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 961 pF @ 15 V
товар відсутній