TSM280NB06LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation
![TSM280NB06LCR_B1804.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 60V 7A/28A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 19.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSM280NB06LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 60V 7A/28A 8PDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerLDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 28A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969 pF @ 30 V.
Інші пропозиції TSM280NB06LCR RLG за ціною від 16.87 грн до 54.48 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
TSM280NB06LCR RLG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969 pF @ 30 V |
на замовлення 6615 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
TSM280NB06LCR RLG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
на замовлення 9798 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
TSM280NB06LCR RLG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
TSM280NB06LCR RLG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
TSM280NB06LCR RLG | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 19W; PDFN56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 7A Power dissipation: 19W Case: PDFN56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 28mΩ Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
TSM280NB06LCR RLG | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 19W; PDFN56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 7A Power dissipation: 19W Case: PDFN56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 28mΩ Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |