TSM260P02CX6 RFG

TSM260P02CX6 RFG Taiwan Semiconductor Corporation


TSM260P02CX6_A2312.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 6.5A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 15 V
на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+14.31 грн
6000+ 13.08 грн
9000+ 12.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM260P02CX6 RFG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 6.5A SOT26, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-26, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 15 V.

Інші пропозиції TSM260P02CX6 RFG за ціною від 11.57 грн до 44.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TSM260P02CX6 RFG TSM260P02CX6 RFG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TSM260P02CX6_A2312.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 6.5A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 15 V
на замовлення 23137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+42.22 грн
10+ 34.92 грн
100+ 24.28 грн
500+ 17.79 грн
1000+ 14.46 грн
Мінімальне замовлення: 8
TSM260P02CX6 RFG TSM260P02CX6 RFG Виробник : Taiwan Semiconductor TSM260P02CX6_A2312.pdf MOSFETs -20V, -6.5A, Single P-Channel Power MOSFET
на замовлення 23520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+44.64 грн
10+ 38.47 грн
100+ 23.28 грн
500+ 18.12 грн
1000+ 14.77 грн
3000+ 12.47 грн
9000+ 11.57 грн
Мінімальне замовлення: 8
TSM260P02CX6 RFG TSM260P02CX6 RFG Виробник : Taiwan Semiconductor tsm260p02_d1811.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 6.5A 6-Pin SOT-26 T/R
товар відсутній
TSM260P02CX6 RFG TSM260P02CX6 RFG Виробник : Taiwan Semiconductor tsm260p02_d1811.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 6.5A 6-Pin SOT-26 T/R
товар відсутній
TSM260P02CX6 RFG TSM260P02CX6 RFG Виробник : Taiwan Semiconductor tsm260p02_d1811.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 6.5A 6-Pin SOT-26 T/R
товар відсутній