Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > TSM250N02CX RFG
TSM250N02CX RFG

TSM250N02CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation

TSM250N02CX_B1811.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 5.8A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 10 V
на замовлення 225000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+8.43 грн
6000+ 7.78 грн
9000+ 7 грн
30000+ 6.47 грн
75000+ 6.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM250N02CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 5.8A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 10 V.

Інші пропозиції TSM250N02CX RFG за ціною від 5.33 грн до 45.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TSM250N02CX RFG TSM250N02CX RFG Виробник : Taiwan Semiconductor tsm250n02cx_b1811.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
738+16.39 грн
1348+ 8.97 грн
1363+ 8.87 грн
1377+ 8.47 грн
1528+ 7.06 грн
Мінімальне замовлення: 738
TSM250N02CX RFG TSM250N02CX RFG Виробник : Taiwan Semiconductor tsm250n02cx_b1811.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
31+19.94 грн
39+ 15.39 грн
40+ 15.22 грн
100+ 8.03 грн
250+ 7.35 грн
500+ 6.99 грн
1000+ 6.3 грн
Мінімальне замовлення: 31
TSM250N02CX RFG TSM250N02CX RFG Виробник : Taiwan Semiconductor tsm250n02cx_b1811.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+21.21 грн
6000+ 20.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
TSM250N02CX RFG TSM250N02CX RFG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TSM250N02CX_B1811.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 5.8A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 10 V
на замовлення 235431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+31.66 грн
13+ 23.3 грн
100+ 14 грн
500+ 12.16 грн
1000+ 8.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
TSM250N02CX RFG TSM250N02CX RFG Виробник : Taiwan Semiconductor TSM250N02CX_B1811.pdf MOSFET 20V, 5.8A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 26470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+32.52 грн
13+ 25.01 грн
100+ 11.99 грн
1000+ 8.08 грн
3000+ 7.04 грн
9000+ 6.62 грн
24000+ 6.48 грн
Мінімальне замовлення: 10
TSM250N02CX RFG TSM250N02CX RFG Виробник : Taiwan Semiconductor tsm250n02cx_b1811.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+45.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
TSM250N02CX RFG Виробник : Taiwan Semiconductor Co., Ltd. TSM250N02CX_B1811.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R TSM250N02CX RFG TTSM250n02cx
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
150+5.33 грн
Мінімальне замовлення: 150
TSM250N02CX RFG TSM250N02CX RFG Виробник : Taiwan Semiconductor tsm250n02cx_b1811.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
TSM250N02CX RFG TSM250N02CX RFG Виробник : Taiwan Semiconductor tsm250n02cx_b1811.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
TSM250N02CX RFG TSM250N02CX RFG Виробник : Taiwan Semiconductor tsm250n02cx_b1811.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
TSM250N02CX RFG TSM250N02CX RFG Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM250N02CX_B1811.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.7A; 1.56W; SOT23
Mounting: SMD
Gate charge: 7.7nC
Case: SOT23
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.56W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 25mΩ
Drain current: 3.7A
Drain-source voltage: 20V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TSM250N02CX RFG TSM250N02CX RFG Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM250N02CX_B1811.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.7A; 1.56W; SOT23
Mounting: SMD
Gate charge: 7.7nC
Case: SOT23
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.56W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 25mΩ
Drain current: 3.7A
Drain-source voltage: 20V
товар відсутній