Результат пошуку "tsm2318cx rf" : 12
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 109
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 3538
Мінімальне замовлення: 100
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
TSM2318CX RFG | Taiwan Semiconductor |
![]() |
на замовлення 5738 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
TSM2318CX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 20 V |
на замовлення 141000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
TSM2318CX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 20 V |
на замовлення 145084 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
TSM2318CX RFG | Taiwan Semiconductor |
![]() |
на замовлення 5738 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
TSM2318CX RFG | Taiwan Semiconductor Co., Ltd. |
![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
TSM2318CX RF | Taiwan Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
TSM2318CX RF | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 40V N channel MOSFET |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
TSM2318CX RFG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 3.9A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 3.9A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 45mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
TSM2318CX RFG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 3.9A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 3.9A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 45mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
TSM2318CX RFG | Taiwan Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
TSM2318CX RFG | Taiwan Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
TSM2318CX RFG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
109+ | 5.49 грн |
128+ | 4.67 грн |
130+ | 4.62 грн |
189+ | 3.05 грн |
250+ | 2.8 грн |
500+ | 2.22 грн |
1000+ | 2.06 грн |
3000+ | 2.03 грн |
TSM2318CX RFG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 3.9A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 3.9A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 20 V
на замовлення 141000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 14.81 грн |
TSM2318CX RFG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 3.9A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 3.9A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 20 V
на замовлення 145084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 31.59 грн |
12+ | 26.29 грн |
100+ | 18.22 грн |
500+ | 14.29 грн |
1000+ | 13.38 грн |
TSM2318CX RFG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3538+ | 3.41 грн |
3572+ | 3.38 грн |
4323+ | 2.79 грн |
4659+ | 2.5 грн |
4717+ | 2.28 грн |
TSM2318CX RFG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
N-MOSFET 40V 3.9A 1.25W 45mΩ TSM2318CX Taiwan Semi TTSM2318cx
кількість в упаковці: 50 шт
N-MOSFET 40V 3.9A 1.25W 45mΩ TSM2318CX Taiwan Semi TTSM2318cx
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 7.72 грн |
TSM2318CX RF |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
TSM2318CX RFG |
![]() |
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 3.9A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 3.9A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
TSM2318CX RFG |
![]() |
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 3.9A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 3.9A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TSM2318CX RFG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
TSM2318CX RFG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній