![TSM2309CX RFG TSM2309CX RFG](https://download.siliconexpert.com/pdfs2/2019/5/23/12/56/17/72644/tsc_/manual/xa.jpg)
TSM2309CX RFG Taiwan Semiconductor
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 8.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSM2309CX RFG Taiwan Semiconductor
Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 3.1A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 30 V.
Інші пропозиції TSM2309CX RFG за ціною від 6.43 грн до 45.12 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
TSM2309CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
TSM2309CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
TSM2309CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
TSM2309CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
TSM2309CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
TSM2309CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 30 V |
на замовлення 78000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
TSM2309CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
TSM2309CX RFG | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2A; 1.56W; SOT23 Drain-source voltage: -60V Drain current: -2A On-state resistance: 0.24Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.56W Polarisation: unipolar Gate charge: 8.2nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SOT23 |
на замовлення 1834 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
TSM2309CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
на замовлення 15836 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
TSM2309CX RFG | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2A; 1.56W; SOT23 Drain-source voltage: -60V Drain current: -2A On-state resistance: 0.24Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.56W Polarisation: unipolar Gate charge: 8.2nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SOT23 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1834 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
TSM2309CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 30 V |
на замовлення 82709 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
TSM2309CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor Co., Ltd. |
![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 94 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
TSM2309CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
TSM2309CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |